磁随机存取存储器

1.磁随机存取存储器

申请号/授权号:ZL200310113535.1 状态:中国  授权

发明(设计)人: 彭子龙、王伟宁、韩秀峰 朱涛 詹文山

外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器

2.外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器

申请号/授权号:ZL200410086219.4 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 魏红祥、杨捍东、彭子龙、翟光杰、韩秀峰、詹文山

一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

3.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号:US7,480,171 B2 状态:美国  授权  

发明(设计)人: 彭子龙、韩秀峰、赵素芬、王伟宁、詹文山

一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法

4.一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法

申请号/授权号:ZL200510086523.3 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 杜关祥、韩秀峰、姜丽仙、赵静、詹文山

一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途

5.一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途

申请号/授权号:ZL200510116757.8 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 王磊、韩秀峰、魏红祥、杨捍东、翟光杰

一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途

6.一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途

申请号/授权号:ZL200510123229.5 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 魏红祥、韩秀峰、赵静、杜关祥、王磊、王荫君

一种适于器件化的磁性隧道结及其用途

7.一种适于器件化的磁性隧道结及其用途

申请号/授权号:ZL200510130665.5  状态:中国  授权  

发明(设计)人: 魏红祥、马明、覃启航、韩秀峰、詹文山

基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法

8.基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法

申请号/授权号:ZL200610011168.8 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 韩秀峰、马明、姜丽仙、韩宇男、覃启航、魏红祥

具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

9.具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

申请号/授权号:ZL200610056824.6 状态:中国  授权

发明(设计)人: 倪经、蔡建旺

一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途

10.一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号:ZL200610056830.1 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 温振超、刘东屏、韩宇男、马明、覃启航、韩秀峰

基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

11.基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

申请号/授权号:ZL200610072795.2 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 曾中明、魏红祥、姜丽仙、韩秀峰、彭子龙、詹文山

基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

12.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

申请号/授权号:ZL200610072797.1 状态:中国  授权  

发明(设计)人: 韩秀峰、曾中明、韩宇男、姜丽仙、彭子龙、詹文山