一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

1.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号:ZL200410030729.X 状态:中国  授权

发明(设计)人: 彭子龙、韩秀峰、赵素芬、王伟宁、詹文山

一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件

2.一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件

申请号/授权号:ZL200410030893.0  状态:中国  授权  

发明(设计)人: 朱涛、彭子龙、詹文山

一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法

3.一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法

申请号/授权号:ZL200410073654.3 状态:中国  授权

发明(设计)人: 代波、蔡建旺、赖武彦

一种碳纳米管磁随机存取存储器

4.一种碳纳米管磁随机存取存储器

申请号/授权号:ZL200410074350.9 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 魏红祥、曾中明、王天兴、赵素芬、彭子龙、韩秀峰

用于电流过载保护器的开关型磁场传感器

5.用于电流过载保护器的开关型磁场传感器

申请号/授权号:ZL200410090614.X 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 王磊、方以坤、王天兴、韩秀峰

自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法

6.自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法

申请号/授权号:ZL200410090615.4 状态:中国  授权

发明(设计)人: 王磊、赵静、韩宇男、韩秀峰

一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜及其用途

7.一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜及其用途

申请号/授权号:ZL200510008613.0 状态:中国  授权

发明(设计)人: 丰家峰、韩秀峰、詹文山、杜永胜、严辉、于敦波、张国成

用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途

8.用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途

申请号/授权号:ZL200510056941.8 状态:中国  授权

发明(设计)人: 王天兴、曾中明、杜关祥、韩秀峰、洪桢敏、石高全

一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法

9.一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法

申请号/授权号:ZL200510059359.7 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 竺云、蔡建旺

基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管

10.基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管

申请号/授权号:ZL200510064341.6 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 曾中明、韩秀峰、杜关祥、魏红详、李飞飞、詹文山

线性磁场传感器及其制作方法

11.线性磁场传感器及其制作方法

申请号/授权号:ZL200510072052.0 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 王磊、韩秀峰、李飞飞、姜丽仙、张谢群、詹文山

基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法

12.基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号:ZL200610000191.7 状态:中国  授权 

发明(设计)人: 韩秀峰、马明、姜丽仙、韩宇男、覃启航、魏红祥