首  页   组内成员   研究方向   仪器设备   发表论文   发明专利   组内新闻    
   Chinese         English
 

近期科研进展:


X射线诱导产生单个零场斯格明子
第Ⅱ类狄拉克半金属薄膜中的高自旋霍尔电导
电流驱动下磁霍普夫子的三维自旋动力学研究
基于纳米环磁性隧道结的自旋随机数发生器
双金属量子阱层中共振隧穿的研究
基于磁性绝缘体的磁子阀效应
铁磁绝缘体中磁子输运的全电学研究
自旋塞贝克与反常能斯特研究进展
铁电极化调制磁性金属/氧化物界面稳定性
双势垒隧道结中长程相位相干性研究

课题组简介:

M02课题组隶属于中科院物理所磁学国家重点实验室,成立于2002年。该课题组致力于“自旋电子学材料、物理和器件”研究,取得了一系列具有国际前沿水平的研究进展,已构建和制备出10余种新型磁异质结和磁性隧道结材料;率先发现或实验观测到8种新奇自旋量子效应;研制出10余种新型自旋电子学原型器件;发表380余篇相关学术论文,获100余项发明专利授权。主要研究方向有(1) 新型磁子学材料、物理与器件研究;(2)新型磁异质结和磁性隧道结相关的材料、物理与器件研究;(3)新型磁性随机存储器、自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋微波探测器、自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、自旋晶体管、自旋场效应管、磁电阻磁敏传感器、磁子阀和磁子结等自旋电子学原型器件研究;(4)基于磁性异质结及磁性隧道结的第一性原理计算研究等。

 
        更多>>         更多介绍>>  
 

地址:北京市海淀区中关村南三街8号 中国科学院物理研究所M02组 邮编100190       电话:+86-10-82649268 传真:+86-10-82649485 电子邮件:xfhan@iphy.ac.cn