iop-cas-M02group

[48] 《可编程自旋逻辑器件和包括其的电子设备》
        韩秀峰，张轩，万蔡华
        发明专利： ZL201610190767.4  申请日：2016年3月30日授权日：2018年8月31日
        发明专利： US10153425B2       申请日：2016年9月2日授权日：2018年12月11日

[47] 《自旋逻辑器件和包括其的电子设备》
张轩，万蔡华，韩秀峰
发明专利： ZL201610064129.8 申请日：2016年1月29日授权日：2018年2月27日

[46] 《电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件》
万蔡华，张轩，韩秀峰
发明专利： ZL201510574526.5 申请日：2015年9月10日授权日：2015年1月7日

[45] 《基于可逆电致电阻效应的逻辑器件》
韩秀峰，李大来，刘东屏
发明专利： ZL201110305257.4 申请日：2011年9月30日授权日：2012年12月12日

[44] 《一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器》
刘东屏，韩秀峰*
发明专利： ZL201510659034.6 申请日：2015年10月12日授权日：2012年09月05日

[43] 《一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器》
梁世恒，刘东屏，温振超，韩秀峰*
发明专利： ZL200910238243.8 申请日：2009年03月24日授权日：2012年08月15日

[42] 《一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器》
陈军养，刘东屏，温振超，韩秀峰*，张曙丰
发明专利： ZL200910076048.X 申请日：2009年01月06日授权日：2012年12月12日

[41] 《基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列》
曾中明，魏红祥，姜丽仙，韩秀峰*，彭子龙，詹文山
发明专利： ZL200610072795.2 申请日：2006年04月11日授权日：2009年07月15日

[40] 《基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件》
        韩秀峰*，曾中明，韩宇男，姜丽仙，彭子龙，詹文山
        发明专利： ZL200610072797.1  申请日：2006年04月11日授权日：2009年04月08日
        发明专利： US8236576B2         申请日：2009年01月06日授权日：2012年08月07日

电流驱动、电场辅助驱动、垂直磁各向异性结构、磁畴壁移动、磁场驱动型等5类10款磁随机存储器。SOT-MRAM, STT-MRAM, E-MRAM, p-MRAM, DW-MRAM, Field-MRAM, etc.

[39] 《包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩磁随机存取存储器》
韩秀峰，秦健鹰，刘厚方，章尧君，郭鹏，陈怡然，李海，魏红祥，丰家峰，詹文山
发明专利： ZL201510634769.3 申请日：2015年9月29日授权日：2018年11月09日

[38] 《闭合形状的磁性隧道结》（实用新型专利）
陶丙山, 李大来, 刘厚方, 韩秀峰
发明专利： ZL201420275983.5 申请日：2014年5月27日授权日：2014年11月5日

[37] 《纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法》
韩秀峰, 刘厚方, 瑞之万
发明专利： ZL201110304804.7 申请日：2011年9月27日授权日：2014年11月12日

[36] 《一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器》
韩秀峰, 于国强, 陈怡然
发明专利： ZL201110304812.1 申请日：2011年9月26日授权日：2014年12月17日

[35] 《一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜》
于国强，魏红祥，詹文山，韩秀峰
发明专利： ZL201010259764.4 申请日：2011年8月20日授权日：2014年11月16日

[34] 《一种基于纳米环状磁性多层膜的查找表》
于国强，倪景华，吴金刚，季明华，韩秀峰
发明专利： ZL201010234523.4 申请日：2010年7月20日授权日：2014年10月1日

[33] 《一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法》
王译，李海，韩秀峰
发明专利： ZL201010226272.5 申请日：2010年7月6日授权日：2014年2月5日

[32] 《一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法》
温振超，于国强，王译，魏红祥，张曙丰，韩秀峰*
发明专利： ZL 200910241587.4 申请日：2009年11月26日授权日：2013年10月16日

[31] 《具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
韩宇男，温振超，杜关祥，赵静，刘东屏，韩秀峰*
发明专利： ZL200710063352.1 申请日：2007年1月9日授权日：2011年04月06日

[30] 《一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
        姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰*
        发明专利： ZL200610011167.3  申请日：2006年01月11日授权日：2010年11月03日
        发明专利： US7,936,595 B2      申请日：2006年12月31日授权日：2011年05月03日

[29] 《一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰*
发明专利： ZL200610011166.9 申请日：2006年01月11日授权日：2010年05月12日

[28] 《基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法》
韩秀峰*，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
发明专利： ZL200610011168.8 申请日：2006年01月11日授权日：2009年4月8日

[27] 《基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法》
韩秀峰*，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
发明专利： ZL200610000191.7 申请日：2006年01月09日授权日：2008年11月26日

[26] 《一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途》
马明，韩秀峰*，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
发明专利： ZL200510135365.6 申请日：2005年12月31日授权日：2011年05月04日

[25] 《一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途》
马明，韩秀峰*，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
发明专利： ZL200510135370.7 申请日：2005年12月31日授权日：2011年05月04日

[24] 《一种适于器件化的磁性隧道结及其用途》
魏红祥，马明，覃启航，韩秀峰*，詹文山
发明专利： ZL200510130665.5 申请日：2005年12月20日授权日：2009年06月10日

[23] 《一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法》
        彭子龙，韩秀峰*，赵素芬，王伟宁，詹文山
        发明专利： ZL200410030729.X  申请日：2004年04月01日授权日：2008年10月29日
        发明专利： US7,480,171 B2      申请日：2004年4月1日授权日：2009年1月20日

磁电阻磁敏传感器 (TMR and GMR based ensors)

[22] 《一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法》
        韩秀峰，袁忠辉，刘盼，于国强，丰家峰，张殿琳
        发明专利：特許第6105817号  申请日：2014年1月23日授权日：2017年3月10日
        发明专利： US9484527B2       申请日：2014年1月23日授权日：2016年11月1日

[21] 《一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法》
吴昊，丰家峰，陈军养，韩秀峰
发明专利： ZL201210285542.9 申请日：2012年8月10日授权日：2016年6月29日

[20] 《各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法》
余天，王文秀，韩秀峰
发明专利： CN102810630B 申请日：2011年05月30日授权日：2015年11月25日

[19] 《一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法》
        马勤礼，刘厚方，韩秀峰
        发明专利： ZL201010195799.6  申请日：2010年6月1日授权日：2014年2月5日
        发明专利： US9568564B2        申请日：2011年3月4日授权日：2017年2月14日

[18] 《一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途》
覃启航，韩秀峰*，王磊，马明，魏红祥，詹文山
发明专利： ZL200510126428.1 申请日：2005年12月09日授权日：2010年03月03日

[17] 《一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途》
魏红祥，赵静，杜关祥，王磊，王荫君，韩秀峰*
发明专利： ZL200510123229.5 申请日：2005年11月15日授权日：2009年6月24日

[16]《一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途》
王磊，韩秀峰*，魏红祥，杨捍东，翟光杰
发明专利： ZL200510116757.8 申请日：2005年10月28日授权日：2009年10月14日

[15] 《线性磁场传感器及其制作方法》
王磊，韩秀峰*，李飞飞，姜丽仙，张谢群，詹文山
发明专利： ZL200510072052.0 申请日：2005年5月27日授权日：2008年12月10日

[14] 《用于电流过载保护器的开关型磁场传感器》
王磊，方以坤，王天兴，韩秀峰*
发明专利： ZL200410090614.X 申请日：2004年11月10日授权日：2008年6月4日

[13] 《自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法》
王磊，赵静，韩宇男，韩秀峰*
发明专利： ZL200410090615.4 申请日：2004年11月10日授权日：2008年2月13日

自旋纳米振荡器(Spin nano-oscillator)和随机数字发生器 (Random number generator)

[12] 《自旋微波振荡器和自旋微波检测器》
王译，于国强，刘东屏，温振超，韩秀峰
发明专利： ZL200810222965.X 申请日：2008年9月24日授权日：2017年2月8日

[11] 《一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途》
温振超，魏红祥，张曙丰，韩秀峰
发明专利： ZL200810119751.X 申请日：2008年9月8日授权日：2014年2月19日

自旋共振隧穿二极管(QW-Resonant Tunnling Diode)和自旋晶体管(Spin transistor)

[10] 《双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件》
韩秀峰，孔文洁，黄黎，吴昊，万蔡华
发明专利： ZL201510846946.4 申请日：2015年11月27日授权日：2018年7月17日

[9] 《具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件》
姜俊，张轩，郭鹏，张晓光，韩秀峰
发明专利： ZL201510426980.6 申请日：2015年7月20日授权日：2018年12月14日

[8] 《具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管》
温振超，陶丙山，袁忠辉，姜丽仙，韩秀峰
发明专利： ZL201510382329.3 申请日：2015年7月2日授权日：2018年12月14日

[7] 《一种自旋晶体管》
刘东屏，温振超，瑞哈娜，莎麦拉(Shamaila)，韩秀峰*
发明专利： ZL200710099739.2 申请日：2007年05月29日授权日：2010年05月26日

[6] 《一种具有量子效应的MgO 双势垒磁性隧道结及其用途》
王琰，卢仲毅，张晓光，韩秀峰*
发明专利： ZL200610080970.2 申请日：2006年05月26日授权日：2009年10月14日

[5] 《基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管》
曾中明，韩秀峰*，杜关祥，魏红祥，李飞飞，詹文山
发明专利： ZL200510064341.6 申请日：2005年04月14日授权日：2008年04月02日

自旋场效应管 (Spin field transistor)

[4] 《Nano multilayer film,field effect tube,sensor,random accessory memory and preparation
        method》
        韩秀峰，刘厚方，Syed Rizwan，李大来，郭鹏，于国强，刘东屏，陈怡然
        发明专利： US9559295B2          申请日：2014年7月1日授权日：2017年1月31日

[3] 《一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路》
韩秀峰，郭鹏，陈怡然，刘冬屏
发明专利： ZL201110304805.1 申请日：2011年9月26日授权日：2015年4月8日

[2] 《纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法》
韩秀峰, 刘厚方, 瑞之万
发明专利： ZL201110304804.7 申请日：2011年9月21日授权日：2014年7月23日

[1] 《一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器》
韩秀峰*，于国强，王文秀，骆军，张晓光
发明专利： ZL 201010227339.7 申请日：2010年7月7日授权日：2013年10月16日

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