1.一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200610011166 9中国 授权

发明(设计)人： 姜丽仙 马明 韩宇男覃启航 魏红祥 韩秀峰

2.一种自旋晶体管

申请号/授权号：ZL200710099739 2x中国 授权

发明(设计)人： 刘东屏 温振超 瑞哈娜 Shamaila 韩秀峰

3.一种单晶NaCl 势垒磁性隧道结及其用途

申请号/授权号：ZL200710122198 0中国 授权

发明(设计)人： 王琰 韩秀峰 张晓光

4.半导体场效应结构、及其制备方法和用途

申请号/授权号：201010593484 7，2010-12-09

发明(设计)人： 胡凤霞 王晶 陈岭 沈保根 孙继荣

5.具有电场调控磁化强度功能的铁氧化物材料

申请号/授权号：200910077050 9 美国 申请

发明(设计)人： 孙阳、李长辉、成昭华

6.一种阻变存储器及其制备方法

申请号/授权号：200910086774 X 中国 申请

发明(设计)人： 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云

7.用于磁制冷的稀土-铜－硅材料及其制备方法

申请号/授权号：200910244208 7 中国 申请

发明(设计)人： 陈静、沈保根、董巧燕、胡凤霞、孙继荣

8.具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜

申请号/授权号：200910242772 5 中国 申请

发明(设计)人： 王晶、胡凤霞、孙继荣、沈保根

9.调节Ni-Co-Mn-In合金的马氏相变和磁电阻效应的方法

申请号/授权号：200910242650 6 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、陈岭、王晶、孙继荣、沈保根

10.高温稳定的具有大磁熵变的La(Fe,Si)13基多间隙原子氢化物磁制冷材料及其制备方法

申请号/授权号：200910242322 6 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

11.La(Fe,Al)13基氢化物磁制冷材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：200910241687 7 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

12.用于磁制冷的稀土-镓材料及其制备方法

申请号/授权号：200910091795 0 中国 申请

发明(设计)人： 陈静、沈保根、董巧燕、胡凤霞、孙继荣