1.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件
申请号/授权号:PCT CN2007 001174(美国申请号:12 296,812)美国 申请
发明(设计)人: 韩秀峰,曾中明,韩宇男,姜丽仙,彭子龙,詹文山
1.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件
申请号/授权号:PCT CN2007 001174(美国申请号:12 296,812)美国 申请
发明(设计)人: 韩秀峰,曾中明,韩宇男,姜丽仙,彭子龙,詹文山
2.包含和非包含金属芯的闭合形状磁性多层膜及它们的制备方法和用途
申请号/授权号:PCT CN2006 00379(美国申请号:12 159657)美国 申请
发明(设计)人: 韩秀峰等
3.用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途
申请号/授权号:PCT CN2006 00048(美国申请号:11 909,553)美国 申请
发明(设计)人: 王天兴、曾中明、杜关祥、韩秀峰、洪桢敏、石高全
4.一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法
申请号/授权号:200810055808 4 中国 审理
发明(设计)人: 朱伟、陈京兰、吴光恒
5.一种具有巨大电致电阻效应的铁氧化物材料
申请号/授权号:200810104935 9 中国 审理
发明(设计)人: 孙阳、李长辉、成昭华
6.具有巨大介电调谐效应的铁电材料
申请号/授权号:200810056212 6 中国 审理
发明(设计)人: 孙阳、李长辉、成昭华
7.包含扩散阻挡层的各向异性磁电阻材料
申请号/授权号:200810226605 7 中国 审理
发明(设计)人: 刘奕帆、蔡建旺
8.自旋微波振荡器和自旋微波检测器
申请号/授权号:200810222965 X 中国 审理
发明(设计)人: 王译、于国强、刘东屏、温振超、韩秀峰
9.一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途
申请号/授权号:200810119751 X 中国 审理
发明(设计)人: 温振超,魏红祥,张曙丰,韩秀峰
10.具有高自旋极化率的半金属磁性材料
申请号/授权号:ZL200510109166 8中国 授权
发明(设计)人: 刘国栋、代学芳、柳祝红、朱志永、陈京兰、吴光恒
11.基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
申请号/授权号:ZL200610000191 7中国 授权
发明(设计)人: 韩秀峰、马明、姜丽仙、韩宇男、覃启航、魏红祥
12.线性磁场传感器及其制作方法
申请号/授权号:ZL200510072052 0 中国 授权
发明(设计)人: 王磊、韩秀峰、李飞飞、姜丽仙、张谢群、詹文山