1.一种垂直人工反铁磁多层膜材料

申请号/授权号：201410133550 0中国 申请

发明(设计)人： 张勖、蔡建旺

2.小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN103059815B中国 授权

发明(设计)人： 陈岭、胡凤霞、包立夫、王晶、孙继荣、沈保根

3.一种抗噪音宽带频率测量方法及锁相频率计

申请号/授权号：CN1024952802B中国 授权

发明(设计)人： 陆俊、沈保根、邵晓萍

4.一种稀土-镍材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102864356B中国授权

发明(设计)人： 董巧燕、沈保根、陈静、胡凤霞、孙继荣

5.一种磁制冷材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102465225B中国授权

发明(设计)人： 张虎、沈保根、许志一、胡凤霞、孙继荣

6.半导体场效应结构、及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102544093B中国授权

发明(设计)人： 胡凤霞、王晶、陈岭、沈保根、孙继荣

7.具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜

申请号/授权号：CN102101793A中国 授权

发明(设计)人： 王晶、胡凤霞、孙继荣、沈保根

8.一种负膨胀材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：2014105917144中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、赵莹莹、武荣荣、王晶、孙继荣、沈保根

9.由工业纯混合稀土制备的稀土铁硼材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：2014103318660中国 申请

发明(设计)人： 刘荣明、章明、沈保根、胡凤霞、孙继荣

10.保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用

申请号/授权号：2014105917144 中国 申请

发明(设计)人： 武荣荣、胡凤霞、刘瑶、王晶、章明、赵莹莹、沈斐然、孙继荣、沈保根

11.一种镧铈基永磁材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：2014103414155中国 申请

发明(设计)人： 章明、沈保根、胡凤霞、包立夫、王晶、赵莹莹、刘瑶、武荣荣、孙继荣

12.一种具有巨压热效应的MnCoGe基磁性材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：2014101108070中国 申请

发明(设计)人： 包立夫、胡凤霞、王晶、武荣荣、刘瑶、赵莹莹、章明、孙继荣、沈保根