1.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：US 2007 0183186 A1 发明 美国 审理

发明(设计)人： 彭子龙,韩秀峰，赵淑芬，王伟宁，詹文山

2.具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

申请号/授权号：200610056824 6 发明中国 审理

发明(设计)人： 倪经，蔡建旺，赖武彦

3.一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法

申请号/授权号：200610144053 6发明 中国审理

发明(设计)人： 竺云，蔡建旺

4.基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：200610000191 7 发明中国 审理

发明(设计)人： 韩秀峰，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥

5.一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：200610011167 3 发明 中国 审理

发明(设计)人： 姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰

6.基于闭合环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：200610011168 8 发明中国 审理

发明(设计)人： 韩秀峰，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥

7.一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：200610056830 1 发明中国 审理

发明(设计)人： 温振超，刘东屏，韩宇男, 马明，覃启航，韩秀峰

8.一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制备方法和用途

申请号/授权号：200610057375 7 发明 中国 审理

发明(设计)人： 覃启航，韩秀峰，马明，王磊，赖武彦，詹文山

9.一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法

申请号/授权号：200610072720 4 发明中国 审理

发明(设计)人： 张谢群，瑞哈娜，姜丽仙，Samaila, 韩宇男，韩秀峰

10.基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

申请号/授权号：200610072795 2 发明中国 审理

发明(设计)人： 曾中明，魏红祥，姜丽仙，韩秀峰，彭子龙，詹文山

11.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

申请号/授权号：200610072797 1 发明中国 审理

发明(设计)人： 韩秀峰，曾中明，韩宇男，姜丽仙，彭子龙，詹文山

12.一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途

申请号/授权号：200610080970 2 中国 审理

发明(设计)人： 王琰，卢仲毅，张晓光, 韩秀峰 发明