1.一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途

申请号/授权号：ZL200510123229 5中国 授权

发明(设计)人： 魏红祥、韩秀峰、赵静、杜关祥、王磊、王荫君

2.一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200510116757 8 中国 授权

发明(设计)人： 王磊、韩秀峰、魏红祥、杨捍东、翟光杰

3.一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法

申请号/授权号：ZL200510086523 3中国 授权

发明(设计)人： 杜关祥、韩秀峰、姜丽仙、赵静、詹文山

4.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：US7,480,171 B2 美国 授权

发明(设计)人： 彭子龙、韩秀峰、赵素芬、王伟宁、詹文山

5.外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器

申请号/授权号：ZL200410086219 4中国 授权

发明(设计)人： 魏红祥、杨捍东、彭子龙、翟光杰、韩秀峰、詹文山

6.磁随机存取存储器

申请号/授权号：ZL200310113535 1中国 授权

发明(设计)人： 彭子龙、王伟宁、韩秀峰 朱涛 詹文山

7.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

申请号/授权号：PCT CN2007 001174(美国申请号：12 296，812)美国 申请

发明(设计)人： 韩秀峰,曾中明,韩宇男,姜丽仙,彭子龙,詹文山

8.包含和非包含金属芯的闭合形状磁性多层膜及它们的制备方法和用途

申请号/授权号：PCT CN2006 00379（美国申请号：12 159657）美国 申请

发明(设计)人： 韩秀峰等

9.用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途

申请号/授权号：PCT CN2006 00048（美国申请号：11 909,553）美国 申请

发明(设计)人： 王天兴、曾中明、杜关祥、韩秀峰、洪桢敏、石高全

10.一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法

申请号/授权号：200810055808 4 中国 审理

发明(设计)人： 朱伟、陈京兰、吴光恒

11.一种具有巨大电致电阻效应的铁氧化物材料

申请号/授权号：200810104935 9 中国 审理

发明(设计)人： 孙阳、李长辉、成昭华

12.具有巨大介电调谐效应的铁电材料

申请号/授权号：200810056212 6 中国 审理

发明(设计)人： 孙阳、李长辉、成昭华