1.一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器

申请号/授权号：200910080640 7 中国 申请

发明(设计)人： 刘东屏、韩秀峰

2.微波复合材料及其制备方法

申请号/授权号：200910080183 1 中国 申请

发明(设计)人： 王文秀、周文平、王云鹏、韩秀峰

3.一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL200710064895 5中国 授权

发明(设计)人： 于淑云、罗鸿志、朱志永、刘国栋、陈京兰、吴光恒

4.具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL200710064282 1中国 授权

发明(设计)人： 于淑云、代学芳、刘国栋、陈京兰、吴光恒

5.一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法

申请号/授权号：ZL200610144053 6 中国 授权

发明(设计)人： 竺云、蔡建旺

6.一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途

申请号/授权号：ZL200610080970 2中国 授权

发明(设计)人： 王琰、卢仲毅、张晓光、韩秀峰

7.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

申请号/授权号：ZL200610072797 1 中国 授权

发明(设计)人： 韩秀峰、曾中明、韩宇男、姜丽仙、彭子龙、詹文山

8.基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

申请号/授权号：ZL200610072795 2中国 授权

发明(设计)人： 曾中明、魏红祥、姜丽仙、韩秀峰、彭子龙、詹文山

9.一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200610056830 1中国 授权

发明(设计)人： 温振超、刘东屏、韩宇男、马明、覃启航、韩秀峰

10.具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL200610056824 6中国 授权

发明(设计)人： 倪经、蔡建旺

11.基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法

申请号/授权号：ZL200610011168 8中国 授权

发明(设计)人： 韩秀峰、马明、姜丽仙、韩宇男、覃启航、魏红祥

12.一种适于器件化的磁性隧道结及其用途

申请号/授权号：ZL200510130665 5中国 授权

发明(设计)人： 魏红祥、马明、覃启航、韩秀峰、詹文山