1.一种阻变存储器及其制备方法
申请号/授权号:200910091465 1 中国 申请
发明(设计)人: 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云
1.一种阻变存储器及其制备方法
申请号/授权号:200910091465 1 中国 申请
发明(设计)人: 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云
2.氢化NiMn基合金磁制冷材料、其制备方法及用途
申请号/授权号:200910086648 4 中国 申请
发明(设计)人: 胡凤霞、王晶、赵金良、孙继荣、沈保根
3.基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法
申请号/授权号:200910079449 0 中国 申请
发明(设计)人: 史磊、尚大山、孙继荣、赵同云、沈保根
4.半导体异质结构、其制备方法及半导体装置
申请号/授权号:200910079249 5 中国 申请
发明(设计)人: 胡凤霞,王晶,孙继荣,沈保根
5.用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法
申请号/授权号:200910244354 X 中国 申请
发明(设计)人: 王云鹏、王文秀、刘东屏、韩秀峰
6.一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
申请号/授权号:200910076048 X 中国 申请
发明(设计)人: 陈军养、刘东屏、温振超、韩秀峰、张曙丰
7.一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法
申请号/授权号:200910241587 4 中国 申请
发明(设计)人: 温振超、于国强、王译、魏红祥、张曙丰、韩秀峰
8.单电子磁电阻结构及其应用
申请号/授权号:200910238510 1 中国 申请
发明(设计)人: 张佳,温振超,张晓光,韩秀峰
9.一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器
申请号/授权号:200910238243 8 中国 申请
发明(设计)人: 梁世恒、刘东屏、温振超、韩秀峰
10.复合吸波材料及其制备方法
申请号/授权号:200910236529 2 申请 中国
发明(设计)人: 王文秀、张佳、刘东屏、韩秀峰
11.一种线性响应巨磁电阻效应多层膜
申请号/授权号:200910091793 1 中国 申请
发明(设计)人: 刘涛、蔡建旺
12.一种垂直磁各向异性的多层膜
申请号/授权号:200910082039 1 中国 申请
发明(设计)人: 马勤礼、魏红祥、王守国、韩秀峰