1.一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器

申请号/授权号：201110304812 1中国 申请

发明(设计)人： 韩秀峰 于国强 陈怡然

2.一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路

申请号/授权号：201110304805 1 中国 申请

发明(设计)人： 韩秀峰 郭鹏 陈怡然刘东屏

3.纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法

申请号/授权号：201110278414 7中国申请

发明(设计)人： 韩秀峰 刘厚方

4.纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统

申请号/授权号：201110209908 X中国 申请

发明(设计)人： 韩秀峰 马勤礼 于国强 刘厚方 余天 周向前 艾金虎 孙晓玉

5.各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法

申请号/授权号： 201110143364 1 中国 申请

发明(设计)人： 余天 王文秀 韩秀峰

6.具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200710063352 1中国 授权

发明(设计)人： 韩宇男 温振超 杜关祥 赵静 刘东屏 韩秀峰

7.一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途

申请号/授权号：ZL200610057475 7中国 授权

发明(设计)人： 覃启航 韩秀峰 马明 王磊 赖武彦 詹文山

8.一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200510135370 7中国 授权

发明(设计)人： 马明 韩秀峰 姜丽仙 韩宇男 覃启航 魏红祥

9.一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：ZL200510135365 6中国 授权

发明(设计)人： 马明 韩秀峰 姜丽仙 韩宇男 覃启航 魏红祥

10.包含和非包含金属芯的闭合形状磁性多层膜及它们的制备方法和用途

申请号/授权号：US7,936,595 B2 美国 授权

发明(设计)人： 韩秀峰 马明 覃启航魏红祥 姜丽仙 韩宇男

11.包含和非包含金属芯的闭合形状磁性多层膜及它们的制备方法和用途

申请号/授权号：US7,936,595 B2 美国 授权

发明(设计)人： 韩秀峰 马明 覃启航魏红祥 姜丽仙 韩宇男

12.用于磁制冷的稀土-铝材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：201110215566 2，2011-07-29

发明(设计)人： 张虎 沈保根 许志一 吴剑峰 沈俊