1.一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法
申请号/授权号:ZL200610144053 6 中国 授权
发明(设计)人: 竺云、蔡建旺
1.一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法
申请号/授权号:ZL200610144053 6 中国 授权
发明(设计)人: 竺云、蔡建旺
2.一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途
申请号/授权号:ZL200610080970 2中国 授权
发明(设计)人: 王琰、卢仲毅、张晓光、韩秀峰
3.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件
申请号/授权号:ZL200610072797 1 中国 授权
发明(设计)人: 韩秀峰、曾中明、韩宇男、姜丽仙、彭子龙、詹文山
4.基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列
申请号/授权号:ZL200610072795 2中国 授权
发明(设计)人: 曾中明、魏红祥、姜丽仙、韩秀峰、彭子龙、詹文山
5.一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途
申请号/授权号:ZL200610056830 1中国 授权
发明(设计)人: 温振超、刘东屏、韩宇男、马明、覃启航、韩秀峰
6.具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法
申请号/授权号:ZL200610056824 6中国 授权
发明(设计)人: 倪经、蔡建旺
7.基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法
申请号/授权号:ZL200610011168 8中国 授权
发明(设计)人: 韩秀峰、马明、姜丽仙、韩宇男、覃启航、魏红祥
8.一种适于器件化的磁性隧道结及其用途
申请号/授权号:ZL200510130665 5中国 授权
发明(设计)人: 魏红祥、马明、覃启航、韩秀峰、詹文山
9.一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途
申请号/授权号:ZL200510123229 5中国 授权
发明(设计)人: 魏红祥、韩秀峰、赵静、杜关祥、王磊、王荫君
10.一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
申请号/授权号:ZL200510116757 8 中国 授权
发明(设计)人: 王磊、韩秀峰、魏红祥、杨捍东、翟光杰
11.一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
申请号/授权号:ZL200510086523 3中国 授权
发明(设计)人: 杜关祥、韩秀峰、姜丽仙、赵静、詹文山
12.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法
申请号/授权号:US7,480,171 B2 美国 授权
发明(设计)人: 彭子龙、韩秀峰、赵素芬、王伟宁、詹文山