1.具有电场调控磁化强度功能的铁氧化物材料

申请号/授权号：200910077050 9 美国 申请

发明(设计)人： 孙阳、李长辉、成昭华

2.一种阻变存储器及其制备方法

申请号/授权号：200910086774 X 中国 申请

发明(设计)人： 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云

3.用于磁制冷的稀土-铜－硅材料及其制备方法

申请号/授权号：200910244208 7 中国 申请

发明(设计)人： 陈静、沈保根、董巧燕、胡凤霞、孙继荣

4.具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜

申请号/授权号：200910242772 5 中国 申请

发明(设计)人： 王晶、胡凤霞、孙继荣、沈保根

5.调节Ni-Co-Mn-In合金的马氏相变和磁电阻效应的方法

申请号/授权号：200910242650 6 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、陈岭、王晶、孙继荣、沈保根

6.高温稳定的具有大磁熵变的La(Fe,Si)13基多间隙原子氢化物磁制冷材料及其制备方法

申请号/授权号：200910242322 6 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

7.La(Fe,Al)13基氢化物磁制冷材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：200910241687 7 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

8.用于磁制冷的稀土-镓材料及其制备方法

申请号/授权号：200910091795 0 中国 申请

发明(设计)人： 陈静、沈保根、董巧燕、胡凤霞、孙继荣

9.一种阻变存储器及其制备方法

申请号/授权号：200910091465 1 中国 申请

发明(设计)人： 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云

10.氢化NiMn基合金磁制冷材料、其制备方法及用途

申请号/授权号：200910086648 4 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、王晶、赵金良、孙继荣、沈保根

11.基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法

申请号/授权号：200910079449 0 中国 申请

发明(设计)人： 史磊、尚大山、孙继荣、赵同云、沈保根

12.半导体异质结构、其制备方法及半导体装置

申请号/授权号：200910079249 5 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞，王晶，孙继荣，沈保根