1.基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管

申请号/授权号：ZL200510064341 6 中国授 权

发明(设计)人： 曾中明、韩秀峰、杜关祥、魏红详、李飞飞、詹文山

2.一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法

申请号/授权号：ZL200510059359 7 中国 授权

发明(设计)人： 竺云、蔡建旺

3.用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途

申请号/授权号：ZL200510056941 8中国 授权

发明(设计)人： 王天兴、曾中明、杜关祥、韩秀峰、洪桢敏、石高全

4.一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜及其用途

申请号/授权号：ZL200510008613 0 中国 授权

发明(设计)人： 丰家峰、韩秀峰、詹文山、杜永胜、严辉、于敦波、张国成

5.自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法

申请号/授权号：ZL200410090615 4中国 授权

发明(设计)人： 王磊、赵静、韩宇男、韩秀峰

6.用于电流过载保护器的开关型磁场传感器

申请号/授权号：ZL200410090614 X 中国 授权

发明(设计)人： 王磊、方以坤、王天兴、韩秀峰

7.一种碳纳米管磁随机存取存储器

申请号/授权号：ZL200410074350 9 中国 授权

发明(设计)人： 魏红祥、曾中明、王天兴、赵素芬、彭子龙、韩秀峰

8.一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法

申请号/授权号：ZL200410073654 3 中国 授权

发明(设计)人： 代波、蔡建旺、赖武彦

9.一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件

申请号/授权号：ZL200410030893 0中国 授权

发明(设计)人： 朱涛、彭子龙、詹文山

10.一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：ZL200410030729 X 中国 授权

发明(设计)人： 彭子龙、韩秀峰、赵素芬、王伟宁、詹文山