马勤礼

经历
2015.4至今    :  博后，C. L. Chien 实验室. 美国约翰霍普金斯大学
2011.7~2015.03:  博后，Miyazaki 实验室. 日本东北大学
2007.12~2008.06: 访问学生，J. M. D. Coey实验室. 爱尔兰圣三一学院

学位
2006.7 ~ 2011.7:    中科院物理研究所磁学M02组，博士, 导师: 韩秀峰研究院
2002.9 ~ 2006.7:    兰州大学物理学院(国家基础课程人才培养基地班)，学士

科研方向以及兴趣:
1. 自旋电子学材料及其现象：各向异性次电阻(AMR)、据此电阻(GMR)、随穿刺电阻(TMR)、霍尔效应等；

2. 磁性材料界面偶和效应，如交换偏置、界面各向异性、自旋弹簧等；

3. 磁存储材料设计，以及磁矩动力过程；

4. 自旋霍尔效应、自旋-轨道力矩，及基于此的磁随机存储器件。

文章专利

1. Spin dynamics Modulation on Exchange Coupling in Perpendicular Hard/Soft Bilayer

Q. L. Ma, S. Iihama, X. M. Zhang, Y. Ando, T. Miyazaki, and S. Mizukami
Appl. Phys. Lett. 107, (2015)

2. Artificially engineered Heusler ferrimagnetic superlattice exhibiting PMA

Q. L. Ma, X. M. Zhang, T. Miyazaki, and S. Mizukami,
Sci. Rep. 5, 7863 (2015)

3. Abrupt transition from FM to AFM in L10-MnGa/FeCo tuned by Fermi level position

Q. L. Ma, S. Mizukami, T. Kubota, X. M. Zhang, Y. Ando, and T. Miyazaki
Phys. Rev. Lett. 112, 157202 (2014)

4. Interface tailoring effect on magnetic properties and their utilization in MnGa- pMTJ

Q. L. Ma, T. Kubota,S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, and T. Miyazaki
Phys. Rev. B 87, 184426(2013)

5. Magnon excitation contribution to MR during annealing in CoFeB/MgO MTJs

Q. L. Ma, S. G. Wang, R. C. C. Ward, A. Kohn, X.-G. Zhang, and X. F. Han et al.
Phys. Rev. B 83, 224430(2011)

6. A magnetic multilayer structure for magnetic sensor

Q. L. Ma, H. F. Liu, and X. F. Han
Chinese Patent No. 201010195799.6; PCTNo.PCT/CN2011/000356 (2011/4/03)

7. A novel perpendicular magnetic material

Q. L. Ma, A. Sugihara, S. Mizukami, T. Miyazaki
Japan Patent No. P20130333 (2013)

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