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  丰家峰 副研究员



        丰家峰现为中国科学院物理研究所副研究员、中国科学院大学岗位教师。2002年毕业于安徽大学物理系、2007年在中国科学院物理研究所取得博士学位。2007至2011年在爱尔兰圣三一学院、2011至2013年在法国Spintec研究中心从事科学研究。中科院青年创新促进会2017届会员

        丰家峰主要从事“自旋电子学材料和物理方面的基础和应用”研究工作,在磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)、磁敏传感器(Magnetic sensors)和自旋转矩纳米振荡器(Spin Torque Nano-oscillators, STNO)的材料和结构优化、微纳米加工制备、物性探测表征及相关器件的基础研制方面取得有一定研究成果。在Physical Review Letters, Nature Communications, Nano Letters, Advanced Materials, Science Advances, Physical Review Applied, Applied Physics Letters等学术期刊上发表SCI收录论文100 余篇,他引接近3000次。获得中国和美国发明专利授权10余项。作为参与人之一,分别获得2013 和2017年度北京市科学技术一等奖和三等奖。

所在单位及职称
中科院物理所,磁学国家重点实验室,副研究员

研究工作经历
2016/09-至今,中国科学院大学, 岗位教师
2013/06-至今,中科院物理所,磁学国家重点实验室,副研究员
2011/09-2013/03,法国Spintec研究中心,博士后
2007/10-2011/09,爱尔兰圣三一学院,物理系,博士后

受教育经历
2002/09-2007/07,中科院物理所,磁学国家重点实验室,博士
1998/09-2002/07, 安徽大学,物理系, 学士

主要学术任职
中国电子学会应用磁学分会高级会员
中国物理学会 终身会员

主持或者参与的科研项目
(一)、主持国家重点研发计划“智能传感器”专项“高灵敏MEMS磁敏感元件及传感器”项目中课题一项,课题题目“高灵敏TMR磁敏感元件的机理研究与器件制备”(课题编号2021YFB3201801),起止日期2021.12-2024.11,课题经费300万元。
(二)主持国家自然基金委的中国-巴基斯坦国际合作与交流项目一项,项目题目“铁磁复合纳米结构的制备、表征和磁电输运性质研究”(项目编号51401236),起止日期2018.1-2020.12,项目经费(中方)200万元。
(三)、主持国家电网横向项目“磁敏感元件噪声抑制机理研究与自供能电流传感器研制”(编号5108-202218280A-2-256-XG),起止日期2022.10-2025.06,课题经费91万元。
(四)、主持中国科学院青年创新促进会会员(2017年入会会员,证书编号20171010)项目一项,起止日期2017.1-2020.12,会员经费80万元。目前该项目进展顺利。

代表性期刊论文(*代表通讯作者)

[1] Magnetization switching driven by spin current in a T-type ferromagnetic trilayer
     Shiqiang Liu; Caihua Wan; Jiafeng Feng; Guoqiang Yu; Xiufeng Han, et. al.,
      AppliedPhysics Letters 124,192403 (2024).

[2] Quantum well oscillations in giant magnetoresistance and conductance with ferromagnetic free layer thickness in spin-valve      structures with inverted [CoPt
     Jiafeng Feng*, Peng Chen, Shiqiang Liu, H.X. Wei, X.F. Han, et.al.
      Journalof Magnetism and Magnetic Materials 601,172177 (2024).

[3] Magnetoresistance enhancement in a perpendicular (Co/Pt)4/Co/IrMn/(Co/Pt)2/Co structure
     Jiafeng Feng*, H. X. Wei, Yong Ren, Xinxi Li, and X. F. Han
      Journalof Applied Physics 132, 064506(2022).

[4] High Spin Hall Conductivity in Large-Area Type-II Dirac Semimetal PtTe2
     Hongjun Xu, Jinwu Wei, Hengan Zhou, Jiafeng Feng, Teng Xu, Haifeng Du, Congli He, Yuan Huang, Junwei Zhang, Yizhou Liu,      Han-Chun Wu, Chenyang Guo, Xiao Wang, Yao Guang, Hongxiang Wei, Yong Peng, Wanjun Jiang, Guoqiang Yu, and Xiufeng
      AdvancedMaterials 2020, 2000513 (2020).

[5] Coherent Resonant Tunneling through Double Metallic Quantum Well States
     Bingshan Tao, Caihua Wan, Ping Tang, Jiafeng Feng, Hongxiang Wei, Xiao Wang, Stéphane Andrieu, Hongxin Yang, Mairbek      Chshiev, Xavier Devaux, Thomas Hauet, François Montaigne, Stéphane Mangin, Michel Hehn, Daniel Lacour, Xiufeng Han, and      Yuan Lu
      NanoLetters 19, 3019−3026 (2019).

[6] Temperature dependence of shot noise in double barrier magnetic tunnel junctions
     Jiasen Niu, Liang Liu, J. F. Feng, X. F. Han, J. M. D. Coey, X.-G. Zhang, and Jian Wei
      PhysicalReview B 97, 104412 (2018).

[7] Magnon Valve Effect between Two Magnetic Insulators
     H. Wu, L. Huang, C. Fang, B. S. Yang, C. H. Wan, G. Q. Yu, J. F. Feng, H. X. Wei, and X. F. Han
      PhysicalReview Letters 120, 097205 (2018).

[8] Giant Perpendicular Exchange Bias in a Subnanometer Inverted (Co/Pt)n/Co/IrMn Structure
     Jiafeng Feng, H. F. Liu, H. X. Wei, X.-G. Zhang, Yong Ren, Xinxi Li, Yan Wang, J. P. Wang, and X. F. Han,
      PhysicalReview Applied 7, 054005 (2017).

[9] Tunneling anisotropic magnetoresistance driven by magnetic phase transition
     X. Z. Chen, J. F. Feng, Z. C. Wang, J. Zhang, X. Y. Zhong, C. Song, L. Jin, B. Zhang, F. Li, M. Jiang, Y. Z. Tan, X. J. Zhou, G. Y.      Shi, X. F. Zhou, X. D. Han, S. C. Mao, Y. H. Chen, X. F. Han, and F. Pan
      NatureCommunications 8, 449 (2017); DOI: 10.1038/s41467-017-00290-4.

[10] Temperature dependence of microwave oscillation in magnetic tunnel junctions with a perpendicular CoFeB free layer.
      Peng Guo, J. F. Feng*, H. X. Wei*, X. F. Han, B. Fang, B.S. Zhang, and Z. M. Zeng
      AppliedPhysics letters 106, 012402 (2015).

   
                                 
 

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