磁控溅射系统四台

超高真空三室磁控溅射系统

Ø   直入平面沉积八靶室
Ø   斜入聚焦沉积/离轴式侧向沉积三靶室
Ø   快速进样室,高、低温生长,本底真空度2 x 10-6 Pa

制造商:沈阳科友真空技术有限公司(2017年)


超高真空离轴磁控溅射系统

Ø  离轴式侧向沉积四靶室
Ø   快速进样室,高、低温生长,本底真空度2 x 10-6 Pa

制造商:沈阳科友真空技术有限公司(2018年)


Ø   高真空八靶磁控溅射仪(直入平面沉积,室温生长,本底真空度4 x 10-5 Pa)

制造商:沈阳市超高真空应用技术研究所(1999年)

Ø   高真空四靶磁控溅射仪(直入平面沉积,室温生长,本底真空度4 x 10-5 Pa)

制造商:中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(1993年)


高真空退火炉

可进行真空度10-5Pa级的退火,温度可达600℃,可选择在约1.2 T任意角度磁场下的退火


振动样品磁强计

Ø   美国 ADE 技术有限公司引进 Model 4 HF - VSM 振动样品磁强计
Ø   磁场: 2.1 Tesla,磁场分辨率0.01 Oe;高低温工作区间: 100-1000 K 和高灵敏度 2 x 10-6 emu
Ø   可用于纳米磁性薄膜的 M(T, H) 曲线等磁性测量工作


自制磁电阻-热效应测量装置

Ø   通过四探针法测量薄膜在外磁场下的磁电阻、反常霍尔效应
Ø   垂直温度梯度下测量薄膜纵向自旋塞贝克效应
Ø   SOT相关的磁化翻转及谐波测试


透射电镜(TEM)样品制备设备

可以实现薄膜样品面内、截面以及其他块体材料的透射电镜样品的精准制备,离子枪束能量:0.1keV至8keV可调,液氮冷台保护


特制高分辨洛伦兹透射电镜JEOL LM-2100F

(SKLM公共资产,由本组张颖研究员负责运行)

Ø   特别设计的物镜可使样品处磁场低于10 Oe
Ø   面内±600 Oe磁场范围内磁结构的原位观察
Ø   室温至100K原位磁结构和显微结构变化
Ø   电场或电流下磁结构和显微结构的原位观察


聚焦离子束系统 Crossbeam 550

(由本组张颖研究员负责运行)

Ø   各种微纳器件和低维纳米人工结构的制作
Ø   制备TEM样品和集成电路的失效分析
Ø   新材料的截面表征以了解材料内部结构
Ø   纳米尺度的精细操作及原位物性测量