透射电镜(TEM)样品离子减薄系统
可以实现薄膜样品面内、截面以及其他块体材料的透射电镜样品的精准制备，离子枪束能量：0.1keV至8keV可调，液氮冷台保护
扫描电子显微镜(SEM)/聚焦离子束(FIB)双束系统
（SKLM公共资产，由组长张颖研究员负责运行）
可以实现透射电镜样品的精准制备，特殊构型和需求器件的设计和加工。并配备EDS能谱分析仪。
特制高分辨洛伦兹透射电镜JEOL LM-2100F
（SKLM公共资产，由组长张颖研究员负责运行）
Ø 特别设计的物镜可使样品处磁场低于10 Oe
Ø 面内±600 Oe磁场范围内磁结构的原位观察
Ø 室温至100K原位磁结构和显微结构变化
Ø 电场或电流下磁结构和显微结构的原位观察
多功能磁光克尔显微镜MOKE
Ø 纵向及横向克尔成像，分辨率最低可达450nm
Ø 可实现面内(1T)、垂直磁场(0.5T)协同测试
Ø 配置垂直脉冲磁场，反应速度达30mT/us
Ø 4套电流测试探针，可外接多功能电流测试系统
蔡建旺研究员课题组设备（原磁学7组，现技术部，可合作）
磁控溅射系统三台
超高真空三室磁控溅射系统
Ø 直入平面沉积八靶室
Ø 斜入聚焦沉积/离轴式侧向沉积三靶室
Ø 快速进样室，高、低温生长，本底真空度2 x 10-6 Pa
制造商：沈阳科友真空技术有限公司（2017年）
Ø 高真空八靶磁控溅射仪（直入平面沉积，室温生长，本底真空度4 x 10-5 Pa）
制造商：沈阳市超高真空应用技术研究所（1999年）
Ø 高真空四靶磁控溅射仪（直入平面沉积，室温生长，本底真空度4 x 10-5 Pa）制造商：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（1993年）
高真空退火炉
可进行真空度10-5Pa级的退火，温度可达600℃，可选择在约1.2 T任意角度磁场下的退火
振动样品磁强计
Ø 美国 ADE 技术有限公司引进 Model 4 HF － VSM 振动样品磁强计
Ø 磁场: 2.1 Tesla，磁场分辨率0.01 Oe；高低温工作区间: 100-1000 K 和高灵敏度 2 x 10-6 emu
Ø 可用于纳米磁性薄膜的 M(T, H) 曲线等磁性测量工作
自制磁电阻-热效应测量装置
Ø 通过四探针法测量薄膜在外磁场下的磁电阻、反常霍尔效应
Ø 垂直温度梯度下测量薄膜纵向自旋塞贝克效应