蔡建旺简介

简 历：

男，1968年3月生，1988年、1991年于南京大学获学士和硕士学位，1994年于中国科学院物理研究所获博士学位。先后在美国霍普金斯大学和日本 东北大学工作四年多，2000年获中科院“百人计划”。现任中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。IEEE会员，并于2005年初至2008年底任两届IEEE磁学分会技术委员会委员。

主要研究方向：

磁性纳米多层膜的材料制备生长、磁性表征和自旋相关输运的研究

近年主要工作及成果：

近年来围绕磁性纳米多层膜材料的结构、磁性和自旋相关输运性质开展了深入研究。在“反铁磁/铁磁”多层膜中，通过实验直接证明了铁磁层磁矩翻转过程中，反铁磁内部自旋结构的调制作用与调制深度；发现一种具有极高钉扎截止温度的金属反铁磁材料，解决以往反铁磁材料的热稳定性问题。通过界面自旋-轨道耦合，设计制备了一种Pt基磁性金属多层膜，将反常霍尔效应的磁场灵敏度首次大幅提高至半导体霍尔器件最高值水平；提出了“氧化物/金属”异质结界面对磁性金属超薄膜的反常霍尔效应和磁各向异性的调控作用的新思路，成功获得一种与半导体Si集成相容的超灵敏的SiO₂/Fe-Pt/SiO₂异质结构，其反常霍尔效应的磁场灵敏度比半导体器件的最高值高一个数量级。利用Pt的磁邻近效应、大自旋-轨道耦合及其对原子扩散的阻挡，设计开发了新型高各向异性磁电阻、高温度稳定性Pt插层NiFe纳米薄膜材料；首次给出了Pt被磁性绝缘体诱导出显著铁磁磁矩的直接实验结果，并且除确认Pt的非常规的反常霍尔效应与各向异性磁电阻外，发现相应Pt的正常霍尔系数、电阻率受到绝缘磁性层的强烈调制；获得了不同温度场、层状结构对自旋流的调控与影响。

在Phys. Rev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B等国际主要学术刊物上共发表SCI论文80篇，SCI他引700次；单篇论文（第一作者国内工作）SCI他引最高140次。另外，撰写2篇磁电子学综述论文（10余万字）及1部专著的一章。获国家发明专利7项，另有3项专利申请。

培养研究生情况：

在读硕博生7人。

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