(2) 基于磁性隧道结及隧穿磁电阻(TMR)效应的材料、物理和器件研究;
(3) 磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应和自旋Seebeck效应等物理研究;
(4) 铁磁/多铁性/半导体等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究;
(5) 新型磁随机存储器(MRAM)、磁电阻磁敏传感器、自旋逻辑、自旋纳米振荡
器、自旋微波探测器、自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋场
发光二极管、自旋晶体管和自旋场效应晶体管等原型器件研究;
(6) 新型磁纳米异质结构及磁性隧道结的第一性原理计算研究。
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