代表性授权发明专利列表：

磁子阀(Magnon valve)和磁子结(Magnon Junction)及磁子型器件(Magnon devices)

[71] 《二维材料为间隔层的磁子磁电阻器件及包括其的电子设备》
        韩秀峰、邢耀文
        发明专利： ZL202010196853.2   申请日：2020年 3月19日 授权日：2024年5月10日
        发明专利： US 11,808,828 B2   申请日：2021年 3月15日 授权日：2023年11月7日

[70] 《基于磁子晶体的自旋波开关和滤波器》
        韩秀峰、邢耀文、严政人
        发明专利： US 11,699,543 B2   申请日：2021年 10月19日 授权日：2023年7月11日

[69] 《基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件》
        韩秀峰、郭晨阳、万蔡华
        发明专利： ZL201910125883.1   申请日：2019年02月20日 授权日：2021年07月9日

[68] 《巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结》
        韩秀峰，唐萍，郭晨阳，万蔡华
        发明专利： ZL201711415711.5  申请日：2017年12月25日 授权日：2020年02月20日
        发明专利： 特许6838041号   申请日：2018年12月25日 授权日：2021年2月15日

[67] 《磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器》
        韩秀峰，吴昊，万蔡华
        发明专利： ZL201510659034.6  申请日：2015年10月12日 授权日：2017年12月8日

自旋逻辑、自旋轨道力矩型磁随机存储器 (SOT-Spin Logic and SOT-MRAM)

[66] 《巨磁致电阻器件和磁性隧道结结构及包括其的电子设备》
        韩秀峰、房驰、万蔡华
        发明专利： ZL201910619674.2  申请日：2019年07月10日 授权日：2021年5月25日

[65] 《磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备》
        韩秀峰，王潇，万蔡华
        发明专利： ZL201810310401.5  申请日：2018年4月9日 授权日：2020年8月18日

[64] 《可编程多功能自旋逻辑电路》
        尹宁远，万蔡华，黄宝发，虞志益，韩秀峰
        发明专利： ZL201710211554.X  申请日：2017年4月1日 授权日：2020年4月24日

[63] 《可编程自旋逻辑器件和包括其的电子设备》
        韩秀峰，张轩，万蔡华
        发明专利： ZL201610190767.4  申请日：2016年3月30日 授权日：2018年8月31日
        发明专利： US10153425B2       申请日：2016年9月2日 授权日：2018年12月11日

[62] 《自旋逻辑器件和包括其的电子设备》
        张轩，万蔡华，韩秀峰
        发明专利： ZL201610064129.8  申请日：2016年1月29日 授权日：2018年2月27日

[61] 《电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件》
        万蔡华，张轩，韩秀峰
        发明专利： ZL201510574526.5  申请日：2015年9月10日 授权日：2015年1月7日

[60] 《基于可逆电致电阻效应的逻辑器件》
        韩秀峰，李大来，刘东屏
        发明专利： ZL201110305257.4  申请日：2011年9月30日 授权日：2012年12月12日

[59] 《一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器》
        刘东屏，韩秀峰*
        发明专利： ZL201510659034.6  申请日：2015年10月12日 授权日：2012年09月05日

[58] 《一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器》
        梁世恒，刘东屏，温振超，韩秀峰*
        发明专利： ZL200910238243.8  申请日：2009年03月24日 授权日：2012年08月15日

[57] 《一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器》
        陈军养，刘东屏，温振超，韩秀峰*，张曙丰
        发明专利： ZL200910076048.X  申请日：2009年01月06日 授权日：2012年12月12日

[56] 《基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列》
        曾中明，魏红祥，姜丽仙，韩秀峰*，彭子龙，詹文山
        发明专利： ZL200610072795.2  申请日：2006年04月11日 授权日：2009年07月15日

[55] 《基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件》
        韩秀峰*，曾中明，韩宇男，姜丽仙，彭子龙，詹文山
        发明专利： ZL200610072797.1  申请日：2006年04月11日 授权日：2009年04月08日
        发明专利： US8236576B2         申请日：2009年01月06日 授权日：2012年08月07日

电流驱动、电场辅助驱动、垂直磁各向异性结构、磁畴壁移动、磁场驱动型等5类10款磁随机存储器。SOT-MRAM, STT-MRAM, E-MRAM, p-MRAM, DW-MRAM, Field-MRAM, etc.

[54] 《包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩磁随机存取存储器》
        韩秀峰，秦健鹰，刘厚方，章尧君，郭鹏，陈怡然，李海，魏红祥，丰家峰，詹文山
        发明专利： ZL201510634769.3  申请日：2015年9月29日 授权日：2018年11月09日

[53] 《闭合形状的磁性隧道结》（实用新型专利）
        陶丙山, 李大来, 刘厚方, 韩秀峰
        发明专利： ZL201420275983.5  申请日：2014年5月27日 授权日：2014年11月5日

[52] 《纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法》
        韩秀峰, 刘厚方, 瑞之万
        发明专利： ZL201110304804.7  申请日：2011年9月27日 授权日：2014年11月12日

[51] 《一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器》
        韩秀峰, 于国强, 陈怡然
        发明专利： ZL201110304812.1  申请日：2011年9月26日 授权日：2014年12月17日

[50] 《一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜》
        于国强，魏红祥，詹文山，韩秀峰
        发明专利： ZL201010259764.4  申请日：2011年8月20日 授权日：2014年11月16日

[49] 《一种基于纳米环状磁性多层膜的查找表》
        于国强，倪景华，吴金刚，季明华，韩秀峰
        发明专利： ZL201010234523.4  申请日：2010年7月20日 授权日：2014年10月1日

[48] 《一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法》
        王译，李海，韩秀峰
        发明专利： ZL201010226272.5  申请日：2010年7月6日 授权日：2014年2月5日

[47] 《一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法》
        温振超，于国强，王译，魏红祥，张曙丰，韩秀峰*
        发明专利： ZL 200910241587.4  申请日：2009年11月26日 授权日：2013年10月16日

[46] 《具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
        韩宇男，温振超，杜关祥，赵静，刘东屏，韩秀峰*
        发明专利： ZL200710063352.1  申请日：2007年1月9日 授权日：2011年04月06日

[45] 《一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
        姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰*
        发明专利： ZL200610011167.3  申请日：2006年01月11日 授权日：2010年11月03日
        发明专利： US7,936,595 B2      申请日：2006年12月31日 授权日：2011年05月03日

[44] 《一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途》
        姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰*
        发明专利： ZL200610011166.9  申请日：2006年01月11日 授权日：2010年05月12日

[43] 《基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法》
        韩秀峰*，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
        发明专利： ZL200610011168.8  申请日：2006年01月11日 授权日：2009年4月8日

[42] 《基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法》
        韩秀峰*，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
        发明专利： ZL200610000191.7  申请日：2006年01月09日 授权日：2008年11月26日

[41] 《一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途》
        马明，韩秀峰*，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
        发明专利： ZL200510135365.6  申请日：2005年12月31日 授权日：2011年05月04日

[40] 《一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途》
        马明，韩秀峰*，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥
        发明专利： ZL200510135370.7  申请日：2005年12月31日 授权日：2011年05月04日

[39] 《一种适于器件化的磁性隧道结及其用途》
        魏红祥，马明，覃启航，韩秀峰*，詹文山
        发明专利： ZL200510130665.5  申请日：2005年12月20日 授权日：2009年06月10日

[38] 《一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法》
        彭子龙，韩秀峰*，赵素芬，王伟宁，詹文山
        发明专利： ZL200410030729.X  申请日：2004年04月01日 授权日：2008年10月29日
        发明专利： US7,480,171 B2      申请日：2004年4月1日 授权日：2009年1月20日

磁电阻磁敏传感器 (TMR and GMR based ensors)

[37] 《磁性隧道结及包括其的磁器件和电子设备》
        韩秀峰，万蔡华，张轩
        发明专利： ZL201710093931.4  申请日：2017年2月21日 授权日：2019年11月29日

[36] 《一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法》
        韩秀峰，袁忠辉，刘盼，于国强，丰家峰，张殿琳
        发明专利： ZL201480000687.7  申请日：2014年1月23日 授权日：2017年10月13日
        发明专利： 特許第6105817号  申请日：2014年1月23日 授权日：2017年3月10日
        发明专利： US9484527B2       申请日：2014年1月23日 授权日：2016年11月1日

[35] 《一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法》
        吴昊，丰家峰，陈军养，韩秀峰
        发明专利： ZL201210285542.9  申请日：2012年8月10日 授权日：2016年6月29日

[34] 《各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法》
        余天，王文秀，韩秀峰
        发明专利： CN102810630B  申请日：2011年05月30日 授权日：2015年11月25日

[33] 《一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法》
        马勤礼，刘厚方，韩秀峰
        发明专利： ZL201010195799.6  申请日：2010年6月1日 授权日：2014年2月5日
        发明专利： US9568564B2        申请日：2011年3月4日 授权日：2017年2月14日

[32] 《一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途》
        覃启航，韩秀峰*，王磊，马明，魏红祥，詹文山
        发明专利： ZL200510126428.1  申请日：2005年12月09日 授权日：2010年03月03日

[31] 《一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途》
        魏红祥，赵静，杜关祥，王磊，王荫君，韩秀峰*
        发明专利： ZL200510123229.5  申请日：2005年11月15日 授权日：2009年6月24日

[30]《一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途》
        王磊，韩秀峰*，魏红祥，杨捍东，翟光杰
        发明专利： ZL200510116757.8   申请日：2005年10月28日 授权日：2009年10月14日

[29] 《线性磁场传感器及其制作方法》
        王磊，韩秀峰*，李飞飞，姜丽仙，张谢群，詹文山
        发明专利： ZL200510072052.0  申请日：2005年5月27日 授权日：2008年12月10日

[28] 《用于电流过载保护器的开关型磁场传感器》
        王磊，方以坤，王天兴，韩秀峰*
        发明专利： ZL200410090614.X  申请日：2004年11月10日 授权日：2008年6月4日

[27] 《自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法》
        王磊，赵静，韩宇男，韩秀峰*
        发明专利： ZL200410090615.4  申请日：2004年11月10日 授权日：2008年2月13日

自旋纳米振荡器(Spin nano-oscillator)和随机数字发生器 (Random number generator)

[26]《基于反铁磁材料的超高频自旋微波振荡器》
        魏红祥，丰家峰，韩秀峰
        发明专利： ZL201510329435.5  申请日：2015年6月15日 授权日：2019年3月19日

[25] 《基于硬磁材料的自旋微波振荡器》
        魏红祥，丰家峰，韩秀峰
        发明专利： ZL201510213746.5  申请日：2015年4月29日 授权日：2018年12月14日

[24] 《基于自旋振荡器的锁相环电路》
        魏红祥，丰家峰，韩秀峰
        发明专利： ZL201510964693.0  申请日：2015年12月21日 授权日：2020年4月24日

[23] 《基于自旋振荡器的太赫兹信号发生器》
        魏红祥，丰家峰，韩秀峰
        发明专利： ZL201510983126.X  申请日：2015年12月24日 授权日：2019年4月30日

[22] 《具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用》
        魏红祥，丰家峰，张晓光，刘厚方，韩秀峰
        发明专利： ZL201610517955.3  申请日：2016年7月4日 授权日：2020年5月22日
        发明专利： US10135392B2  申请日：2016年7月4日 授权日：2018年11月20日

[21] 《自旋微波振荡器和自旋微波检测器》
        王译，于国强，刘东屏，温振超，韩秀峰
        发明专利： ZL200810222965.X  申请日：2008年9月24日 授权日：2017年2月8日

[20] 《一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途》
        温振超，魏红祥，张曙丰，韩秀峰
        发明专利： ZL200810119751.X  申请日：2008年9月8日 授权日：2014年2月19日

自旋共振隧穿二极管(QW-Resonant Tunnling Diode)和自旋晶体管(Spin transistor)

[19] 《双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件》
        韩秀峰，孔文洁，黄黎，吴昊，万蔡华
        发明专利： ZL201510846946.4  申请日：2015年11月27日 授权日：2018年7月17日

[18] 《具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件》
        姜俊，张轩，郭鹏，张晓光，韩秀峰
        发明专利： ZL201510426980.6  申请日：2015年7月20日 授权日：2018年12月14日

[17] 《具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管》
        温振超，陶丙山，袁忠辉，姜丽仙，韩秀峰
        发明专利： ZL201510382329.3  申请日：2015年7月2日 授权日：2018年12月14日

[16] 《一种自旋晶体管》
        刘东屏，温振超，瑞哈娜，莎麦拉(Shamaila)，韩秀峰*
        发明专利： ZL200710099739.2  申请日：2007年05月29日 授权日：2010年05月26日

[15] 《一种具有量子效应的MgO 双势垒磁性隧道结及其用途》
        王琰，卢仲毅，张晓光，韩秀峰*
        发明专利： ZL200610080970.2  申请日：2006年05月26日 授权日：2009年10月14日

[14] 《基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管》
        曾中明，韩秀峰*，杜关祥，魏红祥，李飞飞，詹文山
        发明专利： ZL200510064341.6  申请日：2005年04月14日 授权日：2008年04月02日

自旋场效应管 (Spin field transistor)

[13] 《Nano multilayer film,field effect tube,sensor,random accessory memory and preparation
        method》
        韩秀峰，刘厚方，Syed Rizwan，李大来，郭鹏，于国强，刘东屏，陈怡然
        发明专利： US9559295B2          申请日：2014年7月1日 授权日：2017年1月31日

[12] 《一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路》
        韩秀峰，郭鹏，陈怡然，刘冬屏
        发明专利： ZL201110304805.1  申请日：2011年9月26日 授权日：2015年4月8日

[11] 《纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法》
        韩秀峰, 刘厚方, 瑞之万
        发明专利： ZL201110304804.7  申请日：2011年9月21日 授权日：2014年7月23日

[10] 《一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器》
        韩秀峰*，于国强，王文秀，骆军，张晓光
        发明专利： ZL 201010227339.7  申请日：2010年7月7日 授权日：2013年10月16日

有机、超导和氧化物复合自旋电子材料和器件 (Novel organic, superconductor and oxide hybrid-spintronic materials)

[9]《一种复合半导体层》
        郭鹏，刘东屏，韩秀峰
        发明专利： ZL201210535419.8          申请日：2012年12月12日 授权日：2015年3月18日

[8] 《用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途》
        王天兴，曾中明，杜关祥，韩秀峰*, 洪桢敏，石高全
        发明专利： ZL200510056941.8          申请日：2006年03月24日 授权日：2008年04月02日         发明专利： 特许第4880669号          申请日：2006年03月24日 授权日：2011年12月09日

磁斯格明子(Skyrmion)和磁性纳米线及纳米管(Magnetic Nanowires and Nanotubes)等

[7] 《一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜》
        李大来，王守国，陶丙山，韩秀峰
        发明专利： ZL201310311148.2          申请日：2013年7月23日 授权日：2017年5月10日

[6] 《一种同轴纳米电缆的制备方法》
        师大伟，韩秀峰
        发明专利： ZL201210455309.0          申请日：2012年11月13日 授权日：2016年8月3日

纳米图型化和磁电特性测量系统(EBL Nano patterned and magneto-electric characteristic measurement system)

[5] 《Nano-patterned system and magnetic-field applying device thereof》
        于国强，郭鹏，韩秀峰，郭朝晖，孙晓玉，周向前
        发明专利： EP2835688B1          申请日：2012年7月17日 授权日：2017年5月17日
        发明专利： US9640363B2          申请日：2012年7月17日 授权日：2017年5月2日
        发明专利： US9484138B2          申请日：2012年7月17日 授权日：2016年11月1日

[4]《一种纳米图形化系统及其光响应特性检测装置》
        刘盼，郭鹏，于国强，韩秀峰，孙晓玉，周向前
        发明专利： ZL201210231008.X          申请日：2012年7月5日 授权日：2017年1月18日
        发明专利： ZL201210231008.X          申请日：2012年7月5日 授权日：2013年1月30日

[3]《纳米图形化和超宽频磁电特性测量系统》
        韩秀峰，马勤礼，于国强，刘厚方，余天，周向前，艾金虎，孙晓玉
        发明专利： ZL201110209908.X          申请日：2011年7月26日 授权日：2015年6月3日
        发明专利： EP2738607B1          申请日：2012年7月17日 授权日：2016年5月18日
        发明专利： JP 5964959 B2          申请日：2012年7月17日 授权日：2016年8月3日

[2] 《一种纳米图型化系统及其磁场施加装置》
        于国强，郭鹏，韩秀峰，郭朝晖，孙晓玉，周向前
        发明专利： ZL201210096470.3          申请日：2012年04月01日 授权日：2015年 4月8日
        发明专利： US 9,484,138 B2          申请日：2012年04月01日 授权日：2016年11月1日
        发明专利： US 9,640,363 B2          申请日：2012年04月01日 授权日：2017年5月2日
        发明专利： 12873678.2          申请日：2012年04月01日 授权日：2017年5月17日

实验装置和仪器关键部件设计(Experimental equipment and key components)

[1] 《真空红外线加热退火炉》
        刘厚方、尹林、刘金声、韩秀峰
        发明专利： ZL201010139658.2          申请日：2010年04月01日 授权日：2012年11月21日

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