1.由工业纯混合稀土制备的稀土铁硼材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：2014103318660中国 申请

发明(设计)人： 刘荣明、章明、沈保根、胡凤霞、孙继荣

2.保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用

申请号/授权号：2014105917144 中国 申请

发明(设计)人： 武荣荣、胡凤霞、刘瑶、王晶、章明、赵莹莹、沈斐然、孙继荣、沈保根

3.一种镧铈基永磁材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：2014103414155中国 申请

发明(设计)人： 章明、沈保根、胡凤霞、包立夫、王晶、赵莹莹、刘瑶、武荣荣、孙继荣

4.一种具有巨压热效应的MnCoGe基磁性材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：2014101108070中国 申请

发明(设计)人： 包立夫、胡凤霞、王晶、武荣荣、刘瑶、赵莹莹、章明、孙继荣、沈保根

5.一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途

申请号/授权号：ZL 200810119751 X中国 授权

发明(设计)人： 温振超、魏红祥、张曙丰、韩秀峰

6.一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法

申请号/授权号：ZL 201010195799 6（PCT CN2011 000356）中国 授权

发明(设计)人： 马勤礼、刘厚方，韩秀峰

7.一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜

申请号/授权号：ZL 201010259764 4 中国 授权

发明(设计)人： 于国强、魏红祥、詹文山、韩秀峰

8.一种基于纳米环状磁性多层膜的查找表

申请号/授权号： ZL 201010234523 4中国授权

发明(设计)人： 于国强、倪景华、吴金刚、季明华、韩秀峰

9.一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法

申请号/授权号： ZL 201010226272 5中国 授权

发明(设计)人： 王译、李海、韩秀峰

10.纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法

申请号/授权号：ZL 2011102900631中国 授权

发明(设计)人： 韩秀峰、刘厚方、瑞之万

11.纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法

申请号/授权号： ZL 201110304804 7 中国授权

发明(设计)人： 韩秀峰、刘厚方、瑞之万

12.闭合形状的磁性隧道结

申请号/授权号：ZL 201410228817 4中国 实审

发明(设计)人： 陶丙山、李大来、刘厚方、韩秀峰