1.基于翻转概率可调磁性隧道结实现模数转换器

申请号/授权号：202511599057.2

发明(设计)人： 韩秀峰，万蔡华，李枭翰，徐迎千

2.一种概率计算加速器

申请号/授权号：2025102669649

发明(设计)人： 韩秀峰，万蔡华，徐迎千，李枭翰

3.交错磁体材料的用途、包括其的磁电阻器件及电子设备

申请号/授权号：202410510030.0

发明(设计)人： 韩秀峰、 池博源、 万蔡华

4.真随机数生成装置及其自校准方法

申请号/授权号：2024105274961

发明(设计)人： 韩秀峰、 万蔡华、 徐迎千、 李枭翰、 张然

5.一种垂直人工反铁磁多层膜材料

申请号/授权号：201410133550 0中国 申请

发明(设计)人： 张勖、蔡建旺

6.小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN103059815B中国 授权

发明(设计)人： 陈岭、胡凤霞、包立夫、王晶、孙继荣、沈保根

7.一种抗噪音宽带频率测量方法及锁相频率计

申请号/授权号：CN1024952802B中国 授权

发明(设计)人： 陆俊、沈保根、邵晓萍

8.一种稀土-镍材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102864356B中国授权

发明(设计)人： 董巧燕、沈保根、陈静、胡凤霞、孙继荣

9.一种磁制冷材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102465225B中国授权

发明(设计)人： 张虎、沈保根、许志一、胡凤霞、孙继荣

10.半导体场效应结构、及其制备方法和用途

申请号/授权号：CN102544093B中国授权

发明(设计)人： 胡凤霞、王晶、陈岭、沈保根、孙继荣

11.具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜

申请号/授权号：CN102101793A中国 授权

发明(设计)人： 王晶、胡凤霞、孙继荣、沈保根

12.一种负膨胀材料及其制备方法和用途

申请号/授权号：2014105917144中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、赵莹莹、武荣荣、王晶、孙继荣、沈保根