1.一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法

申请号/授权号：200610072720 4 发明中国 审理

发明(设计)人： 张谢群，瑞哈娜，姜丽仙，Samaila, 韩宇男，韩秀峰

2.基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

申请号/授权号：200610072795 2 发明中国 审理

发明(设计)人： 曾中明，魏红祥，姜丽仙，韩秀峰，彭子龙，詹文山

3.基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件

申请号/授权号：200610072797 1 发明中国 审理

发明(设计)人： 韩秀峰，曾中明，韩宇男，姜丽仙，彭子龙，詹文山

4.一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途

申请号/授权号：200610080970 2 中国 审理

发明(设计)人： 王琰，卢仲毅，张晓光, 韩秀峰 发明

5. 一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途

申请号/授权号：200610111166 9 发明 中国 审理

发明(设计)人： 姜丽仙，马明，韩宇男，覃启航，魏红祥，韩秀峰

6.于闭合环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法

申请号/授权号：基PCT申请日：2006 12 31 发明国际 审理

发明(设计)人： 韩秀峰，马明，姜丽仙，韩宇男，覃启航，魏红祥

7.一种单分子磁体(Mn1-xCrx)12-ac的制备方法

申请号/授权号：ZL200410029926 X 发明中国 授权

发明(设计)人： 何伦华，王芳卫

8.具有大磁熵变的稀土-铁基化合物磁致冷材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL03121051 1 发明中国 授权

发明(设计)人： 陈远富，沈保根，王芳，胡凤霞，王光军

9.由冷却液体驱动的固体转动靶

申请号/授权号：发明 中国 授权

发明(设计)人： 严启伟，刘孟禹，赵德启，俞伯良，沈仲毅

10.一种铁磁／锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL02157977 6 发明中国 授权

发明(设计)人： 代波，蔡建旺，赖武彦

11.一种铁磁／锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

申请号/授权号：ZL200310118596 7 发明中国 授权

发明(设计)人： 代波，蔡建旺，赖武彦

12.具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法

申请号/授权号：ZL 02125681 0发明中国 授权

发明(设计)人： 柳祝红，崔玉亭，张铭，王文洪，陈京兰，吴光恒