1.调节Ni-Co-Mn-In合金的马氏相变和磁电阻效应的方法

申请号/授权号：200910242650 6 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、陈岭、王晶、孙继荣、沈保根

2.高温稳定的具有大磁熵变的La(Fe,Si)13基多间隙原子氢化物磁制冷材料及其制备方法

申请号/授权号：200910242322 6 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

3.La(Fe,Al)13基氢化物磁制冷材料及其制备方法和应用

申请号/授权号：200910241687 7 中国 申请

发明(设计)人： 赵金良、沈保根、胡凤霞、沈俊、李养贤、孙继荣

4.用于磁制冷的稀土-镓材料及其制备方法

申请号/授权号：200910091795 0 中国 申请

发明(设计)人： 陈静、沈保根、董巧燕、胡凤霞、孙继荣

5.一种阻变存储器及其制备方法

申请号/授权号：200910091465 1 中国 申请

发明(设计)人： 尚大山、史磊、孙继荣、沈保根、赵同云

6.氢化NiMn基合金磁制冷材料、其制备方法及用途

申请号/授权号：200910086648 4 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞、王晶、赵金良、孙继荣、沈保根

7.基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法

申请号/授权号：200910079449 0 中国 申请

发明(设计)人： 史磊、尚大山、孙继荣、赵同云、沈保根

8.半导体异质结构、其制备方法及半导体装置

申请号/授权号：200910079249 5 中国 申请

发明(设计)人： 胡凤霞，王晶，孙继荣，沈保根

9.用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法

申请号/授权号：200910244354 X 中国 申请

发明(设计)人： 王云鹏、王文秀、刘东屏、韩秀峰

10.一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器

申请号/授权号：200910076048 X 中国 申请

发明(设计)人： 陈军养、刘东屏、温振超、韩秀峰、张曙丰

11.一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法

申请号/授权号：200910241587 4 中国 申请

发明(设计)人： 温振超、于国强、王译、魏红祥、张曙丰、韩秀峰

12.单电子磁电阻结构及其应用

申请号/授权号：200910238510 1 中国 申请

发明(设计)人： 张佳，温振超，张晓光，韩秀峰