仪器设备
MBE-SMOKE-LEED-STM联合系统（M412）
本设备真空由多级真空系统（机械泵、分子泵、离子泵以及Ti升华泵）组成，背底真空可达到 10E-10 mbar量级。生长腔室共六个生长源，用作生长磁性或拓扑等薄膜材料。联合SMOKE, LEED, STM等可原位观察薄膜磁性特征、表面结构等性质。
技术指标：
- 配备 LEED 进行表面结构表征。
- 超高真空环境：优于 1E-10 Pa。
- 支持原子级分辨的 STM 联用。
深紫外激光室（M412）
该深紫外激光作为MCD和ARPES的测试光源使用，基频波长为700-840 nm，经过BBO晶体倍频，之后再经过KBBF晶体倍频，得到175-210 nm连续可调的近线偏振的深紫外激光。
技术指标：
- 激光光子能量：5.9-7.0 eV 可调。
基于深紫外激光MBE-MCD-ARPES（M412）
Scienta Omicron的MBE，MCD腔体以及角分辨光电子谱设备。整套系统真空系统由多级真空系统（机械泵，分子泵，离子泵以及Ti升华泵）组成。MBE共6个生长源，供生长磁性、拓扑、异质结等薄膜材料，加上基于深紫外激光的MCD和ARPES，可原位测量其磁性特征和能带结构。
技术指标：
- 配备 RHEED 原位检测薄膜生长。
- 超高真空环境：优于 1E-10 Pa。
- ARPES可使用氦灯光源或者激光光源,能量分辨率优于20meV。
磁动力学测量平台（M404）
利用800nm的激光脉冲与磁性材料发生相互作用，利用另外一束400nm激光脉冲的磁光克尔信号来表征磁性材料的超快磁动力学行为。
技术指标：
- 超快激光时间分辨优于100 fs,空间分辨优于500 nm。
- 工作温度为5—325 K。
- 超导磁体最大磁场可以达到 2 T。
矢量网络分析仪—铁磁共振（M410）
基于矢量网络分析仪的铁磁共振系统，可同时实现扫场和扫频测量，面内可360度转角测量。通过测量S21参数，可以得到磁性样品的各向异性常数，以及磁动力学阻尼因子等信息。
技术指标：
- 频率最高可达到40GHz。
光学浮动区单晶生长炉（M406）
四镜光学浮区炉是日本晶体系统公司(CSI)生产的以卤素灯为光源的单晶炉，其中内部四个卤素灯作为加热源，四个旋转椭球位于同一水平面，通过球面反射后有效地将卤素灯的热量聚焦在样品处，形成局域高温。该设备生长单晶的要优点是不需要坩埚，没有任何污染，加热融区均匀，可以生长大块高质量的单晶。
技术指标：
- 最大温度可达2200℃。