韩秀峰 简介

1984 年毕业于兰州大学物理系获学士学位。 1990 和 1993 年在吉林大学获硕士 和 博士学位。 1994-1996 在中科院物理所作博士后工作，从事新型 3:29 稀土永磁材料的研究； 1997 年任中科院半导体所副研究员，从事半磁半导体薄膜材料的研究。 1998 年 1 月至 2002 年 3 月，分别赴巴西物理研究中心、日本东北大学应用物理系、美国新奥尔良大学高级材料研究所和爱尔兰圣三一学院物理系，从事磁性薄膜材料、磁性隧道结和磁电子学的研究。 2000 年获中科院 “ 百人计划 ” 资助。 2002 年起担任中科院物理所 M02 课题组组长、研究员、博士生导师。 2003 年在磁性金属材料研究方面获国家杰出青年基金 (A 类 ) 资助； 2005 年与美 国合作 教授一起获得国家杰出青年科学基金 (B 类 - 合作基金 ) 资助。是美国 PRB 、 APL 、 JAP 、 JCM 、 JMMM 、 IEEE Tran. Magn. 、 Micro-electronics Journal 和 J. of Nano- science and Nanotechnology 等杂志邀请审稿人。 已在 Phys. Rev. Lett. 等国际 SCI 重要学术刊物上发表论文 100 篇 ( 其中 85 篇也同时被 EI 收录 ) ，在相关国际学术会议上做邀请报告和学术报告 30 余次。

2000 年制备出室温磁电阻比为 50% （ 4.2K 为 70% ）的当时国际上最好水平的 Co-Fe/Al-O/Co-Fe 体系磁性隧道结； 他和合作者 2004 年制备出 4.2K 磁电阻 TMR 高达 20 ％ 的有机 LB 膜复合磁性隧道结并提交了国际发明专利申请； 2004 年他和合作者制备出 4.2K 磁电阻 TMR 为 3000 ％ 至 9050 ％ 的 La 1-x Sr x MnO 3 半金属复合磁性隧道结并提交了相关发明专利申请； 2006 年 他和合作者 制备出室温磁电阻比为 80% （ 4.2K 高于 100% ）目前最好水平的 非晶金属 Co 60 Fe 20 B 20 /Al-O/Co 60 Fe 20 B 20 体系磁性隧道结。 2004-2006 年他指导研究生在磁性隧道结等相关磁电阻材料及 Nanoring MRAM 原理型器件等方面提交发明专利申请 40 余项，已获授权专利四项。

目前韩秀峰研究员主要从事纳米磁性多层膜及其巨磁电阻效应 (GMR) 、磁性隧道结 (MTJ) 、半金属 & 半导体 & 有机分子膜 / 铁磁复合隧道结及其隧穿磁电阻效应 (TMR) 、新型磁随机存取存储器 (MRAM) 、磁逻辑、自旋晶体管和磁电阻磁敏传感器等原理型器件的研究。

Ten Recent Career Best Publications on Spintronics：

[1] Fabrication of high- MR tunnel junctions using Co 75 Fe 25 ferromagnetic electrodes.

X. F. Han * , M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, and T. Miyazaki

Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 283-285.

[ 2 ] Analyses of intrinsic magnetoelectric properties in spin-valve-type tunnel junctions with high-magneto - resistance and low resistance .

X. F. Han * , Andrew C. C. Yu, M. Oogane, J. Murai, T. Daibou, and T. Miyazaki

Phys. Rev. B , 63 (2001) 224404-224411.

[3] Oscillatory Tunnel Magnetoresistance in Double Barrier Magnetic Tunnel Junctions

Z. M. Zeng, X. F. Han *, W. S. Zhan, Y. Wang, Z. Zhang, and S. Zhang .

Phys. Rev. B. 72 (2005) 05 4419-1-5

[4] Magnetic/nonmagnetic/magnetic tunnel junction based on hybrid organic LB-films

T. X. Wang, H. X. Wei, Z. M. Zeng, and X. F. Han *, Z. M. Hong and G. Q. Shi

Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 242505.

[5] First-principles theory of quantum well resonance in double barrier MTJs

Y. Wang, Z.Y. Lu, X.G. Zhang, and X. F. Han* ,

Phys. Rev. Lett . 97 (2006) 087210.

[6] Probing spin flip scattering in ballistic nanosystems

Z. M. Zeng, J. F. Feng, Y. Wang, X. F. Han *, W. S. Zhan , X. G. Zhang, and Z. Zhang

Phys. Rev. Lett . 97 (2006) 106605 .

[7] Nanoring MTJ and its application in MRAM demo devices with spin-polarized current switching ( Invited ),

X. F. Han * Z. C. Wen, and H. X. Wei,

J. Appl. Phys. 103 (2008) 07E933.

[8] Magnetic switching of ferromagnetic nanotubes.

R. Sharif , S. Shamaila , M. Ma, L. D. Yao, R. C. Yu, X. F. Han *, M. Khaleeq-ur-Rahman

Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 032505.

[9] Effect of Co interlayers in Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions

Y. Wang, X. F. Han * and X. G. Zhang

Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 172501 .

[10] Effects of the current on the nanoscale ring-shaped magnetic tunnel junctions

H. X. Wei , J. X. He, Z. C. Wen, X. F. Han *, S. Zhang.

Phys. Rev. B 77 (2008) 134432.