αR=2.12eVA∘" id="MathJax-Element-1-Frame" role="presentation" style="box-sizing: border-box; display: inline; line-height: normal; word-spacing: normal; overflow-wrap: normal; white-space: nowrap; float: none; direction: ltr; max-width: none; max-height: none; min-width: 0px; min-height: 0px; border: 0px; padding: 0px; margin: 0px; position: relative;" tabindex="0">αR=2.12eVA∘${\alpha }_R=2.12eV\stackrel{\circ }{\mathrm{A}}$，远高于其它体系中的Rashba系数。利用电极化强度与贝利曲率的关系，阐明了Rashba效应消失的机理。该工作不仅给出了铁电半导体Rashba系数随厚度的变化关系，同时揭示了三维Rashba效应的影响因素，可为利用Rashba效应的器件提供一个新的设计思路。相关工作发表在Nano Letters 2021, 21,77-83.

　　博士生杨旭为论文第一作者，成昭华研究员，何为副研究员为共同通讯作者。物理所表面实验室SF01组博士后李晓梅，白雪冬研究员在高分辨扫描透射电子显微镜测量方面给予了大力支持。该项研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金和中国科学院前沿科学研究计划的资助。

　　相关工作链接：https://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c03161

 

图1. (a)-(e) 25.8 nm, 13.5 nm, 5.0 nm, 3.0 nm以及2.5 nm的在GeTe（0001）上投影费米面。（a）和（e）中的白色六边形为表面布里渊区。(f)-(j)为 M¯¯¯¯¯−Γ¯¯¯−M¯¯¯¯¯$\overline{M}-\overline{\mathrm{\Gamma }}-\overline{M}$方向的ARPES谱，对应（a）-（e）。蓝色三角标识为MDCs峰位，绿色为拟合Rashba能带色散关系。

图2. (a) 为Rashba系数与厚度的关系，蓝色为体Rashba系数，黑色为表面态Rashba在动量上的劈裂大小，红线为唯象标度律拟合结果。（b）和（c）分别为2.5 nm和3.0 nm的EB=-0.13 eV处的ARPES强度谱。