韩秀峰

   男,1962年生,1984年毕业于兰州大学物理系获学士学位, 19901993年在吉林大学获理学硕士和博士学位。19941996, 中科院物理所博士后。1998年巴西物理研究中心访问学者, 19992000年日本东北大学日本学术振兴会海外特别研究员, 2001年美国新奥尔良大学高级材料研究所和爱尔兰都柏林大学圣三一学院访问学者。2000年中科院“百人计划”特聘研究员,博士生导师。

  主要研究方向:自旋电子学的材料、自旋电子输运理论及磁敏感器件。

  过去的主要工作及获得的成果: 韩秀峰博士主要从事磁学、磁各向异性理论和能带结构的第一性原理计算、 稀土过渡族金属间化合物、新型稀土永磁、磁性薄膜和半导体异质外延膜材料的研究,取得了许多有价值的成果, SCI收录的国际学术杂志上发表论文77篇。在新相化合物R3(Fe,T)29及其永磁体方面的工作获得1997年东京第四届国际材料大会(IUMRS)优秀青年学者奖。新型稀土永磁Sm3(Fe,V)29Ny的研究工作在2000年纳米晶永磁展望中受到国际磁学专家高度评价。20001, 在日本东北大学用CoFe合金制备出具有国际最高水平的室温磁电阻比值为50%的磁隧穿电阻结, 这种磁隧穿电阻结是目前制备磁动态随机存储器(MRAM)的最佳材料。首次引入各向异性的自旋波波长截止能量ECγ,改进了隧穿电子磁激发模型及其自旋极化电子输运理论, 可自洽地定量计算磁隧穿电阻结的内禀磁电性质。这些研究成果对研制用于计算机的新一代磁动态随机存储器和磁头及其它磁敏感的电压和温度传感器等器件等具有重要的实验和理论价值。

目前开展的研究课题和预研课题有

1.磁隧道结的制备、磁隧穿电阻效应及磁输运理论的研究 (973项目)

2.与磁随机存储器(MRAM)研制相关的纳米结和纳米线的微结构、微磁学及磁化和反磁化性质的研究(973项目)

3.与计算机磁读出头(Read Head)预研制相关的磁隧道结材料的制备及其磁电性质的研究(国际合作)

4.半金属磁隧道结和纳米薄膜材料的制备及输运性质的研究(百人计划)

5.稀土过渡族金属薄膜功能材料的制备及其相结构、磁结构和磁电性质的研究(国际合作)

Tel: 010-82649268

Email: xfhan@aphy.iphy.ac.cn; xiufenghan@scientist.com

拟带博士生的研究内容: 自旋电子学的材料、物理及磁敏感器件。

招生人数:2--4名