磁性材料制备设备

单晶生长炉

多层膜磁控溅射仪

对靶磁控设仪

途:

长。

能:

度:2000º C

度:± 0.5º C

途: 膜。

1. 空: 2 × 10-5pa;

2. 压:0.2 - 5 Pa;

3. 枪: 个、 个、 源;

4. 片:18 个, 却, 制。

用途 : 。并 Ar 退 理。

1.极限真空度:

主室:1×10-5Pa

预处理室:2×10-4Pa

2.退火 温度:室温 ~ 400° C

真空熔炼炉

磁控溅射仪

PLD-E型脉冲激光沉积系统

技术指标:

氩气氛保护,电弧熔炼

真空度可达:10-4Pa

五个坩埚,每个熔料10g以上

最高熔炼温度可达2200° C

技术指标:

本底真空优于1.0,×10-5Pa。动态真空优于3.5×10-5Pa。靶可以升降,基片衬底转盘可用于水冷,一次18个基片,可外加300Oe均匀磁场。

技术指标:

真空室为450mm球形,

极限真空为:6.7×10-5Pa。

可在850° C下进行氧化物薄膜沉积。激光光路扫描。靶与衬底可转动,保证薄膜的均匀性

II-型激光分子束外延系统

TMR研发型磁控溅射系统

原位穆斯堡尔谱仪/MBE/SPM/联合系统

厂家:中国沈阳科学仪器厂

技术指标:

背底真空:6×10-10mbar;

基片温度:290K1100K

RHEED工作温度:290K 1100K

四极质谱仪:分辨率 1aum, 最小可检分压强 10-8 Pa

主要功能及应用范围:

金属、合金与氧化物薄膜分子束外延生长

型号:MPS-4000-HC2

厂家:日本真空

技术指标:

真空度:3´10-7 Pa

衬底温度:300 ~ 900 K

内置磁场:~ 100 Oe

主体结构:三室八靶

主要功能及应用范围:

四英寸衬底上均匀制备纳米磁性多层膜和隧道结

型号: Multiprobe RM

厂家: 德国 Omicron公司

技术指标:

真空度:优于3×10-10mbar;

基片温度:140K880K

 STM/AFM工作温度:15K~1200K

原子分辨。

主要功能及应用范围:

 磁性金属/稀磁半导体分子束外延生长和原位分析

   

  光学单晶浮区生长炉