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物理所成果获2013年度北京市科学技术一等奖

 

   3月25日上午,北京市科学技术奖励大会暨2014年北京市科技工作会在北京会议中心召开。郭金龙、王安顺等市领导出席会议,向获奖代表颁奖并分别合影留念。物理所磁学国家重点实验室M02课题组韩秀峰研究员领导的科研团队,凭借“纳米环磁性隧道结及新型纳米环磁随机存取存储器的基础研究”项目荣获2013年度北京市科学技术一等奖。
  韩秀峰团队于2002至2010年间,在100 nm尺度图型化磁性隧道结的关键制备技术、纳米环磁性隧道结的自旋极化电流驱动机制、以及纳米环磁随机存储器设计原理等重要科学问题研究方面获得突破性进展,研制出新型纳米环4×4 bit 和常规16×16 bit MRAM 原理型演示器件;并提出基于脉冲自旋极化电流驱动的纳米环磁随机存储器的原理型器件设计结构,目前已成为国际上第二代电流驱动型STT-MRAM最核心的几种基本设计结构之一。以上相关研究成果发表SCI学术论文60余篇,并获13项中国和美国及日本专利授权,为今后推动国内非易失磁性存储器产业化的研究和发展,奠定了存储单元材料和器件原理基础。
  磁随机存取存储器(MRAM)具有数据非易失性、低功耗、读写速度快、使用周期长和防辐射等综合优点,可广泛用于自动化控制、嵌入式芯片和手机内存、计算机和数据存储及网络系统、航空航天等信息工业以及国防和民用等领域,具有极其重要的科学意义和应用价值。近几年,美国Everspin公司生产的第一代磁场驱动型4 Mbit和16 Mbit容量的MRAM芯片,已成功应用于卫星和航空航天、自动化控制、法国空中客车A350飞行安全控制以及其他特殊高端应用领域。目前,美国、欧洲、日本和韩国等国家的高科技企业及其科研院所,均在政府的大力扶持下,进一步投入巨资持续研发第二代电流驱动型的磁随机存取存储器(STT-MRAM),有望在今后几年实现更大规模的量产和更加广泛的实际应用,能为信息产业的可持续发展提供一个比目前高密度磁硬盘(HDD)存储器还要巨大的应用市场。

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